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Allbet Gmaing官网:存储器两大巨头对准NAND Flash奇迹 附MAND观念股名单

  据媒体报道,存储器两大巨头三星、SK海力士克日对准NAND Flash奇迹,睁开机关投资。

  据韩媒中心日报动静,三星平泽园区P2,日前最先实行NAND产线投资。其它,三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资,第一阶段70亿美元的25个项目落成,第二阶段80亿美元投资,估量2021年落成。

  三星正式启动平泽P2的NAND产线建树,5月已动手成立无尘室,

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,打算2020年下半年投产。SK海力士克日同样起劲机关NAND奇迹,而且公布将采纳超风致计谋,即强化技能气力,扭转今朝市场劣势,收缩落伍差距。

  其它,SK海力士日前订立2020年成长愿景,包罗在NAND规模睁开快速追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产,今朝正起劲开拓堆叠176层产物。

  按照WSTS统计,存储器占集成电路市场的36.1%,高于逻辑、模仿和微处理赏罚器份额。DRAM规模泛起寡头把持名堂,三星、海力士、美光共占比高达95%。

  个中NAND Flash占存储器细分规模的44%,且行业齐集度极高,今朝产能首要齐集在三星、SK海力士、美光等。业内人士暗示,三星、SK海力士两大巨头起劲机关投资,望驱动产业链公司受益。

  国产更换迫不及待

  DRAM规模泛起寡头把持名堂,存储器国产化迫不及待。

  6月20日,国度存储器基地项目二期开工建树。国度存储器基地项目于2016年12月30日开工,打算分两期建树3DNAND闪存芯片工场,总投资240亿美元。一期首要实现技能打破,建成10万片/月产能,二期筹划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

  国信证券欧阳仕华指出,存储器产业从趋势上看,DRAM和NAND均处于技能快速打破阶段,估量下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产物将会量产。国产内存颗粒出产的内存模组产物已经最先上市贩卖,表现海内存储芯片产业正处于0到1的打破阶段。

  东莞证券魏红梅以为,5G手机换机潮和IDC建树进级对存储装备所形成的需求端具有较高确定性,有望发动NAND Flash需求迎来新一轮增添。

  财联社梳理相干上市公司:

  太极实业:公司子公司海太半导体从事半导体产物的封装、封装测试、模组装配和模组测试等营业,为SK海力士提供处事。

  新莱应材:公司半导体FAB厂以及工程公司客户包罗长江存储、SK海力士(无锡)等。

  兴森科技:公司是海内IC载板龙头企业,2018年9月正式通过三星认证正式通过三星认证,成为大陆本土独一的三星存储IC封装基板供给商。

  深科技: 国有控股的最大DRAM内存芯片封装测试公司,DRAM封测年产能3亿颗,公司在存储器DRAM方面具备天下最新一代的产物封测技能。

  紫光国微:存储芯片营业首要是DRAM存储芯片,2018年实现贩卖收入6.45亿元。

  华天科技:具备LPDDR4存储4叠层封装等高端存储器封装技能,并与武汉新芯告竣深度相助。实现了Nor Flash、3D NAND、DRAM产物的批量封装,客户包罗长江存储。

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